Замглавы Минобрнауки России Дмитрий Афанасьев посетил СПбГЭТУ «ЛЭТИ»
Замглавы Минобрнауки России Дмитрий Афанасьев посетил СПбГЭТУ ЛЭТИ
Заместитель Министра науки и высшего образования РФ Дмитрий Афанасьев посетил с рабочим визитом Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет ЛЭТИ.
Вместе с ректором СПбГЭТУ ЛЭТИ Виктором Шелудько замглавы Минобрнауки России осмотрел ключевые научные подразделения вуза:
Передовую инженерную школу Электроника и электротехника (ПИШ ЛЭТИ);
Институт силовой электроники и фотоники.
Дмитрий Афанасьев высоко оценил уровень развития технологий в университете и порекомендовал научным группам совместно с предприятиями индустриального сектора выстраивать новые производственные цепочки промышленной продукции по ключевым направлениям работы вуза.
Сегодня ЛЭТИ, которому в этом году исполняется 140 лет, представляет собой активно развивающуюся экосистему. Обновляются лаборатории, в них совместно с предприятиями проводятся исследования в сфере силовой электроники, робототехники и новых типов полупроводниковых материалов. Кроме того, коллеги активно разрабатывают подходы к трансформации процесса обучения в логике новой образовательной модели. Сейчас перед вузом стоит задача запуска широкого пула проектов совместно с партнерами, что позволит в среднесрочной перспективе обеспечить переход от разовых взаимодействий к постоянному взаимовыгодному сотрудничеству, отметил Дмитрий Афанасьев.
Замминистра также провел совещание по вопросам трансформации образовательного процесса и развитию ключевых научно-технологических подразделений университета.