Замглавы Минобрнауки России Дмитрий Афанасьев посетил СПбГЭТУ «ЛЭТИ»

Замглавы Минобрнауки России Дмитрий Афанасьев посетил СПбГЭТУ «ЛЭТИ»

Заместитель Министра науки и высшего образования РФ Дмитрий Афанасьев посетил с рабочим визитом Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ».

Вместе с ректором СПбГЭТУ «ЛЭТИ» Виктором Шелудько замглавы Минобрнауки России осмотрел ключевые научные подразделения вуза:

Передовую инженерную школу «Электроника и электротехника» (ПИШ ЛЭТИ);

Институт силовой электроники и фотоники.

Дмитрий Афанасьев высоко оценил уровень развития технологий в университете и порекомендовал научным группам совместно с предприятиями индустриального сектора выстраивать новые производственные цепочки промышленной продукции по ключевым направлениям работы вуза.

«Сегодня ЛЭТИ, которому в этом году исполняется 140 лет, представляет собой активно развивающуюся экосистему. Обновляются лаборатории, в них совместно с предприятиями проводятся исследования в сфере силовой электроники, робототехники и новых типов полупроводниковых материалов. Кроме того, коллеги активно разрабатывают подходы к трансформации процесса обучения в логике новой образовательной модели. Сейчас перед вузом стоит задача запуска широкого пула проектов совместно с партнерами, что позволит в среднесрочной перспективе обеспечить переход от разовых взаимодействий к постоянному взаимовыгодному сотрудничеству», — отметил Дмитрий Афанасьев.

Замминистра также провел совещание по вопросам трансформации образовательного процесса и развитию ключевых научно-технологических подразделений университета.

МАХ | ВК | ДЗЕН